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MJE4343G PDF下载
- 大小：143K
- 厂家：ON Semiconductor
- 描述： TRANSISTOR, RF BIPOLAR; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:1; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; RF Transistor Case:TO-218; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Continuous Collector Current Ic:16A; Gain Bandwidth ft Typ:1MHz; Package / Case:TO-218; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; Transistor Case Style:TO-218
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